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NTMD6N02R2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted) (continued) (Note 8)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
BODY?DRAIN DIODE RATINGS (Note 9)
Diode Forward On?Voltage
(I S = 4.0 Adc, V GS = 0 Vdc)
V SD
?
0.83
1.1
Vdc
(I S = 6.0 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 6.0 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
?
?
0.88
0.75
1.2
?
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 6.0 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s)
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
30
15
15
0.02
?
?
?
?
ns
m C
8. Handling precautions to protect against electrostatic discharge is mandatory.
9. Indicates Pulse Test: Pulse Width = 300 m s max, Duty Cycle = 2%.
12
10
10 V
2.5 V
4.5 V
3.2 V
2.0 V
T J = 25 ° C
12
10
V DS ≥ 10 V
8
6
1.8 V
8
6
4
4
100 ° C
25 ° C
2
V GS = 1.5 V
2
T J = ?55 ° C
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.07
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.05
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
I D = 6.0 A
T J = 25 ° C
0.04
0.03
0.02
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
0.01
1
3
5
7
9
11
13
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?To?Source Voltage
http://onsemi.com
3
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
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